时间：2025/10/29 20:33:55
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GT28F320B3TA110是英特尔（Intel）推出的一款NOR型闪存芯片，属于其著名的StrataFlash嵌入式存储器产品线。该器件采用先进的Flash技术制造，具备非易失性数据存储能力，能够在断电后长期保存信息，广泛应用于需要高可靠性和快速读取性能的嵌入式系统中。GT28F320B3TA110具有32兆位（即4兆字节）的存储容量，组织方式为16位数据总线结构，适合用于代码存储、固件存储以及小规模数据记录等场景。该芯片支持页编程和块擦除操作，具备较高的写入与擦除耐久性，通常可支持10万次以上的擦写周期，并且数据保留时间可达10年以上，满足工业级应用的长期稳定性要求。该型号封装形式为TSOP-56（Thin Small Outline Package），便于在空间受限的PCB设计中使用，并提供良好的电气性能和散热特性。工作温度范围一般为工业级（-40°C至+85°C），适用于严苛环境下的稳定运行。GT28F320B3TA110还集成了内部状态机以简化编程和擦除操作，支持标准的命令接口，可通过简单的微处理器或控制器进行访问，兼容JEDEC标准命令集，方便系统集成与软件开发。
制造商：Intel
产品系列：StrataFlash
存储类型：NOR Flash
存储容量：32 Mbit
组织结构：2M x 16
工作电压：2.7V ~ 3.6V
接口类型：并行（16位）
封装类型：TSOP-56
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
编程电压：内部电荷泵生成
访问时间：110ns
擦除方式：扇区/整片擦除
编程方式：页编程（Page Programming）
可靠性：典型擦写寿命 ≥ 100,000 次
数据保持时间：≥ 10 年
GT28F320B3TA110具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。
首先，该芯片采用了Intel专有的StrataFlash技术，支持多层存储单元（MLC）概念的早期实现方式，能够在单个存储单元中存储多个比特的信息，从而提升存储密度而不显著增加物理尺寸。这种架构不仅提高了容量效率，还在成本与性能之间实现了良好平衡。
其次，GT28F320B3TA110内置智能命令执行引擎，允许通过简单的写入命令序列来完成复杂的编程和擦除操作，例如自动字节写入、缓冲编程、扇区擦除和整片擦除等。这大大减轻了主控处理器的负担，提升了系统整体响应速度和操作可靠性。
此外，该器件支持硬件复位功能，可在异常情况下快速恢复芯片状态，确保系统启动的一致性和安全性。同时，它提供了多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式，有助于延长电池供电设备的工作时间，特别适用于便携式工业设备和远程监控终端。
GT28F320B3TA110还具备高级保护机制，如软件锁定、写保护引脚（WP#）和VPP高压检测，防止意外写入或误擦除重要固件数据。这些安全特性对于医疗设备、通信基站和汽车电子等对数据完整性要求极高的应用场景至关重要。
最后，该芯片兼容JEDEC标准命令集和通用闪存接口规范，支持主流嵌入式操作系统（如VxWorks、RTOS、Linux MTD子系统）的直接驱动支持，极大降低了开发难度和移植成本。其稳定的电气特性和成熟的工艺制程也保证了大批量生产的良率和一致性。
GT28F320B3TA110广泛应用于多种对可靠性、速度和耐用性有较高要求的嵌入式系统领域。
在通信设备中，常被用作路由器、交换机和基站控制器中的固件存储器，用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统镜像及配置参数，因其快速随机读取能力和高抗干扰性，能有效保障设备冷启动的稳定性和运行时的响应速度。
在工业控制领域，该芯片被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，承担程序存储和关键参数备份任务，其宽温工作能力和长寿命特性适应工厂现场恶劣的温度变化和电磁环境。
在汽车电子方面，GT28F320B3TA110可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载诊断系统（OBD-II），存储ECU固件和校准数据，在车辆频繁启停和高低温循环条件下仍能保持数据完整性。
此外，该器件也常见于医疗仪器、测试测量设备和军事电子系统中，作为可靠的非易失性存储解决方案，支持长时间无人值守运行和关键数据持久化。
由于其并行接口设计，GT28F320B3TA110尤其适合与传统MPU（如ARM9、ColdFire、PowerPC等）配合使用，适用于不追求极致小型化但重视稳定性和成熟生态的设计项目。随着市场逐步向SPI NOR Flash迁移，该型号更多用于现有产品的维护升级或生命周期较长的工业平台。
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AM29LV320DB-90EI
MT28GU02GA-10AITP
