类型：功率MOSFET
　　封装：TO-220F
　　漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.18Ω
　　栅极电荷（Qg）：约75nC
　　输入电容（Ciss）：约1250pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装材料：塑料，符合RoHS标准

FMV30N60S1HF采用了富士电机独有的Super Junction结构，显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提高了整体效率。该器件具备高耐压能力和大电流承载能力，能够在高频条件下稳定工作，适用于高效率电源转换器和逆变器。此外，其TO-220F封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的可靠性。
　　在热管理方面，该MOSFET具有较低的热阻，能够在高温环境下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，通常为10V至20V，适用于多种驱动电路设计。FMV30N60S1HF还具备良好的短路耐受能力，增强了系统的稳定性与安全性。
　　在EMI（电磁干扰）方面，该器件的快速开关特性有助于减少电磁干扰，提高系统的兼容性。同时，其内部结构优化设计降低了寄生电感，有助于提升开关性能并减少损耗。

FMV30N60S1HF广泛应用于多种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。在这些应用中，该MOSFET能够提供高效、稳定的功率转换和控制能力，满足现代电子设备对高效率、高可靠性的需求。例如，在电源适配器和充电器中，FMV30N60S1HF可以用于提高转换效率并减小设备体积；在电机驱动系统中，它可以提供快速响应和精确控制；在工业自动化设备中，该器件能够确保长时间稳定运行并提高系统整体性能。

FMV30N60E1S、FMV30N60S1H、TK30A60D、TK30A60W