IXFH12N90Q 时间：2025/8/6 10:55:15 阅读：25

IXFH12N90Q是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压、高频率开关应用。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热稳定性，广泛用于电源转换、电机驱动和工业自动化等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.52Ω（最大值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFH12N90Q具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其高达900V的漏源电压（Vds）使其能够适用于高电压应用场景，如开关电源和逆变器设计。其次，12A的漏极电流（Id）和0.52Ω的最大导通电阻（Rds(on)）保证了在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
　　此外，该器件支持±20V的栅极电压（Vgs），具有较强的栅极驱动能力，能够在高频率下稳定工作。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成在多种电路设计中。
　　IXFH12N90Q还具备优良的热稳定性，最大工作温度可达150°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。该MOSFET采用了先进的硅片工艺，优化了开关特性和抗雪崩能力，使其在复杂的工业环境中具有更高的可靠性和耐用性。

应用

IXFH12N90Q广泛应用于各种高功率电子设备中，尤其适合需要高电压、高频率开关性能的场合。常见的应用包括工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、LED驱动电源以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高耐压和低导通电阻的特性，它也常用于高频开关电源和功率因数校正（PFC）电路中。此外，在电动汽车和充电桩等新兴领域，该MOSFET也发挥着重要作用，为高效能电力转换提供可靠保障。