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IS42S16800F-6BLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:13:05 查看 阅读:11

IS42S16800F-6BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的 256Mbit 同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该芯片采用 CMOS 技术制造,支持标准的 SDRAM 功能,适用于需要高性能存储器的工业和商业应用。该芯片采用 54-pin TSOP 封装,适用于多种嵌入式系统、通信设备和图像处理设备。

参数

容量:256Mbit
  组织方式:16M x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-pin TSOP
  时钟频率:最高 166MHz
  数据速率:166MHz
  数据宽度:16 位
  刷新周期:64ms

特性

IS42S16800F-6BLI 是一款高性能的 SDRAM 芯片,具有广泛的工作电压范围(2.3V 至 3.6V),适合多种电源设计环境。其低功耗特性使其适用于便携式设备和对功耗敏感的系统。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够在低功耗模式下保持数据完整性。
  该 SDRAM 芯片具备标准的同步操作功能,允许与高速控制器同步运行,提高系统的整体性能。此外,它支持突发访问模式,可以显著提高数据传输效率,满足高带宽需求的应用场景。
  其封装形式为 54-pin TSOP,具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业级环境。该器件的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,能够适应较为严苛的工作条件,适合工业控制、车载系统、安防设备等应用场景。
  IS42S16800F-6BLI 的设计符合 JEDEC 标准,确保与主流控制器的兼容性。其支持的时钟频率高达 166MHz,数据传输速率达到 166MHz,适用于需要高速数据处理的系统。此外,其 16 位数据宽度设计可以提升系统的数据吞吐能力,适用于图像处理、网络设备、音频视频设备等多种应用。

应用

IS42S16800F-6BLI 广泛应用于需要高速、低功耗存储器的系统中,如嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、视频采集与显示设备、车载电子系统以及安防监控设备等。其高可靠性和宽温工作特性使其特别适合在工业和恶劣环境条件下使用。

替代型号

IS42S16800G-6BLI, IS42S16400F-6BLI, CY7C1370E, MT48LC16M16A2B4-6A

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IS42S16800F-6BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量348