RF18N2R7B251CT 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管,专为高频无线通信和射频功率放大器应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,能够提供高增益、高效率以及良好的线性性能。其封装形式通常适合表面贴装技术 (SMT),方便在现代电子设备中集成。
该型号晶体管广泛应用于基站、雷达系统、无线通信模块以及其他需要高功率射频信号放大的场景。
最大集电极-发射极电压:50V
最大集电极电流:6A
射频功率输出:125W
频率范围:30MHz 至 300MHz
增益:14dB
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
封装形式:表面贴装
RF18N2R7B251CT 具有以下显著特性:
1. 高输出功率:能够在指定频率范围内提供高达 125W 的射频输出功率,适用于高功率应用场景。
2. 宽频率覆盖:支持从 30MHz 到 300MHz 的宽频率范围,满足多种无线通信需求。
3. 高效率与低失真:优化的内部结构确保了高效率的同时保持较低的信号失真,特别适合对线性度要求较高的应用。
4. 良好的热性能:采用高效散热设计,确保长时间稳定运行。
5. 表面贴装兼容性:便于自动化生产和现代化电路板设计。
6. 环保材料:符合 RoHS 标准,使用环保型封装材料。
RF18N2R7B251CT 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站:作为功率放大器的核心组件,用于提高信号传输距离和质量。
2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域:如射频加热设备、等离子体生成装置等。
3. 军事与航空航天:雷达系统中的射频信号放大。
4. 消费电子产品:高端音频设备和短波电台中的功率放大环节。
5. 测试与测量仪器:用于生成高功率射频信号以进行设备校准和测试。
RF18N2R7B252CT, RF18N2R7B253CT