型号：IXFH10N80P
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（V(BR)DSS）：800 V
　　最大漏极电流（ID @ 25°C）：10 A
　　最大漏极电流脉冲（IDM）：40 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±30 V
　　最大功耗（PD）：200 W
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：典型值 0.85 Ω，最大值 1.05 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 ~ 6.0 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 90 nC
　　输入电容（Ciss）：典型值 1100 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 180 pF
　　反向恢复时间（trr）：无内置二极管
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-247

IXFH10N80P具备优异的高压阻断能力，其漏源击穿电压高达800V，能够在高压开关电路中提供可靠的运行保障。该器件采用先进的平面DMOS工艺制造，确保了良好的热稳定性和长期工作可靠性。其导通电阻RDS(on)在VGS=10V时典型值为0.85Ω，最大不超过1.05Ω，这一水平在同类高压MOSFET中表现良好，有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件具有较低的总栅极电荷（Qg典型值90nC），使得在高频开关应用中所需的驱动功率较小，从而可搭配低功耗驱动电路使用，进一步优化整体能效。输入电容Ciss典型值为1100pF，输出电容Coss为180pF，这些电容参数有利于减少开关过程中的能量损耗，并改善动态响应特性。
　　该MOSFET支持连续漏极电流达10A（在25°C下），脉冲电流可达40A，具备较强的瞬态负载承受能力，适用于电机启动、逆变器切换等存在冲击电流的场景。其TO-247封装具有较大的芯片面积和优良的热传导路径，能够有效将内部热量传递至外部散热系统，确保在高功率密度条件下仍能维持安全的工作温度。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端环境下的工业应用需求。此外，器件具备较高的栅源电压耐受能力（±30V），增强了对异常驱动信号的容忍度，提升了系统鲁棒性。虽然该器件不集成体二极管，但在需要续流功能的应用中可通过外部二极管灵活配置，避免不必要的反向恢复损耗。总体而言，IXFH10N80P以其高耐压、适中导通电阻和优良开关特性，在中高功率电力电子系统中展现出卓越的综合性能。

IXFH10N80P广泛应用于各类高电压、中等功率的开关电源系统中，如AC-DC和DC-DC转换器，特别是在需要800V耐压等级的设计中表现出色。它常用于离线式反激变换器、正激变换器以及LLC谐振转换器等拓扑结构中，作为主开关元件实现高效的能量传输。在不间断电源（UPS）系统中，该器件可用于直流斩波或逆变阶段，提供稳定的高压开关功能。此外，它也被应用于工业电机驱动系统中的功率级控制模块，执行PWM调制操作，调节电机转速与扭矩。在太阳能逆变器和风能转换系统中，IXFH10N80P可用于DC链路开关或辅助电源单元，支持可再生能源系统的高效运行。
　　该器件还适用于感应加热设备，例如电磁炉、金属熔炼装置等，其快速开关能力和高耐压特性使其能在高频谐振电路中可靠工作。在电子镇流器领域，特别是高压钠灯、金卤灯等高强度放电（HID）灯具的驱动电路中，IXFH10N80P可用于构建半桥或全桥拓扑，实现灯管的稳定点亮与调光控制。此外，在医疗电源、测试测量仪器以及电信整流模块中，该MOSFET也因其高可靠性而被广泛采用。由于其封装形式为TO-247，便于安装在大型散热器上，因此特别适合自然冷却或强制风冷条件下的高功率密度设计。无论是在工业自动化、能源转换还是消费类高端电源产品中，IXFH10N80P都是一种成熟且值得信赖的高压功率开关解决方案。

STFU10N80K5, FQP10N80, IRF840G, HUF75642G3S