工作频率范围：1.5 GHz 至 3.0 GHz
　　小信号增益：约 22 dB（典型值）
　　增益平坦度：±0.5 dB（在整个频带内）
　　输入反射系数（S11）：优于 -10 dB
　　输出反射系数（S22）：优于 -12 dB
　　输出P1dB压缩点：+17 dBm（典型值）
　　三阶交调截点（OIP3）：约 +29 dBm
　　噪声系数：约 1.6 dB（典型值）
　　工作电压：+5 V 或 +7 V 可选
　　静态电流：可调，典型设置下约为 120 mA
　　封装形式：LC3B（无引线陶瓷表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

HMC558ALC3B 具备卓越的小信号增益性能，在1.5 GHz至3.0 GHz频段内提供高达22 dB的典型增益，并且在整个工作频带内的增益平坦度控制在±0.5 dB以内，确保信号传输的一致性和系统的稳定性。这种高增益和平坦响应使其非常适合用作中频或射频链路中的驱动放大器或中间增益级。该器件基于GaAs PHEMT工艺制造，具有非常低的噪声系数，典型值仅为1.6 dB，能够在接收前端有效提升信噪比，增强系统灵敏度。
　　该放大器拥有出色的线性性能，输出三阶交调截点（OIP3）达到约+29 dBm，表明其在处理高动态范围信号时具有很强的抗干扰能力，能够有效减少非线性失真带来的杂散分量，适用于高数据速率调制格式如64-QAM甚至更高阶调制的应用场景。其输出功率在1 dB压缩点（P1dB）时可达+17 dBm，意味着它可以作为中等功率驱动级使用，满足大多数无线通信系统对于输出电平的需求。HMC558ALC3B还具备良好的输入和输出回波损耗，S11优于-10 dB，S22优于-12 dB，说明其内部已集成高效的匹配网络，减少了外部匹配元件的数量，降低了设计复杂度并节省了PCB空间。
　　该芯片支持灵活的偏置配置，通过调节外部偏置电阻可以控制静态电流，实现功耗与性能之间的最佳平衡。这使得它既可用于对功耗敏感的便携式设备，也可用于持续运行的固定基站系统。LC3B封装采用陶瓷基板和共面接地结构，提供了优异的散热性能和高频寄生抑制能力，有助于维持长时间工作的可靠性。此外，该器件具备较强的抗静电放电（ESD）能力，增强了在实际生产装配过程中的鲁棒性。整体而言，HMC558ALC3B是一款面向高性能射频系统的理想选择，尤其适用于对增益、噪声和线性度有严格要求的应用环境。

HMC558ALC3B广泛应用于多种高性能射频和微波通信系统中，尤其是在需要高增益、低噪声和良好线性度的场合。其典型应用包括点对点和点对多点的微波无线回传系统，用于城市间或偏远地区骨干网络的数据传输，支持高容量、长距离的通信链路建设。在卫星通信地面站设备中，该放大器可用作上变频或下变频通道中的中频放大器，提升接收灵敏度并保证发射信号的质量。此外，在宽带无线接入系统如WLL（无线局域环路）或5G前传网络中，HMC558ALC3B可作为射频前端的驱动放大器，支持高阶调制信号的稳定传输。
　　在国防和航空航天领域，该器件也常被用于雷达接收机、电子对抗（ECM/EPJ）系统以及战术通信设备中，因其具备宽频带操作能力和稳定的电气性能，能在复杂电磁环境中保持可靠工作。在测试与测量仪器方面，例如频谱分析仪、信号发生器或网络分析仪的内部射频模块中，HMC558ALC3B可用于构建低噪声放大链路，提高仪器的整体动态范围和测量精度。此外，由于其封装紧凑且易于集成到多层高频PCB中，因此也非常适合用于小型化微波模块的设计，如MMIC替代方案或混合集成电路（Hybrid IC）中的关键增益单元。总之，HMC558ALC3B凭借其优异的技术指标和稳定的可靠性，已成为现代高频通信系统中不可或缺的核心组件之一。

HMC558LC3B
　　HMC559ALC3B
　　HMC487MS8GE