类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：6.3A
　　导通电阻 Rds(on)：28mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)：38mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　引脚数：3

LMSC2295-CT1G 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在 10V 栅极电压下仅为 28mΩ，确保在高电流条件下具有较低的传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，该 MOSFET 在 4.5V 栅极电压下也能保持较低的导通电阻（38mΩ），适用于使用逻辑电平驱动的场合。
　　该器件的漏源耐压（Vds）为 30V，使其适用于多种低压电源管理应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制电路。同时，±20V 的栅源电压容限提高了器件在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。
　　LMSC2295-CT1G 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械强度，适用于表面贴装工艺，便于在高密度 PCB 设计中使用。其最大连续漏极电流为 6.3A，能够在高负载条件下稳定工作。
　　此外，该 MOSFET 的热阻较低，有助于在高功率应用中保持良好的热管理性能，延长器件寿命并提高系统稳定性。ON Semiconductor 在功率 MOSFET 领域拥有丰富的经验，确保该器件在各种工业和消费类应用中表现出色。

LMSC2295-CT1G 广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。其主要应用包括但不限于：DC-DC 转换器中的高侧或低侧开关、负载开关电路、电池管理系统（如充放电控制）、电机驱动器、同步整流器以及各种工业自动化和控制设备中的功率开关。
　　由于其具备低导通电阻和良好的热稳定性，该 MOSFET 特别适合用于高效率电源转换器的设计。例如，在同步降压转换器中，LMSC2295-CT1G 可作为低侧开关使用，以减少传导损耗并提高整体效率。在负载开关电路中，它可用于控制电源路径，实现快速的开启和关闭操作。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、移动电源以及智能家电中的电源管理模块。在这些应用中，LMSC2295-CT1G 可以提供高效的功率控制，同时减少电路板空间占用，提高系统集成度。
　　对于工业控制系统，该 MOSFET 可用于继电器替代、电机控制和传感器供电管理等场合，提供可靠且高效的功率切换能力。

Si2302DS, IRF7404, FDS6680, AO4406A