时间：2025/5/23 21:06:10
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KE617U2793WBP是由韩国知名半导体厂商生产的高性能MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款器件采用TO-263封装形式，具备良好的散热性能和较高的电气稳定性。其主要应用领域包括消费电子设备中的电源管理模块以及工业控制系统的功率转换部分。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间（开启/关闭）：25ns/15ns
工作温度范围：-55℃至175℃
KE617U2793WBP具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用场景。
3. 高额定电流能力，可满足大功率需求。
4. TO-263封装设计，确保良好的热管理和机械稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件下的运行要求。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
该芯片适用于多种电力电子场景，例如：
1. 开关模式电源（SMPS），用于计算机、通信设备和其他电子产品中。
2. 电动工具及家用电器内的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统中的功率转换组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能实现。
5. 汽车电子领域的DC-DC变换器与LED驱动等解决方案。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP55NF06L
