型号：IXFH100N25P
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：250 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：100 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：360 A
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10 V：18 mΩ
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 5 V：28 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0 V ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：7000 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：920 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：67 ns
　　最大功耗（PD）：400 W @ 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：TO-247AC

IXFH100N25P具备卓越的电气性能和热稳定性，其核心优势在于极低的导通电阻与高电流承载能力的结合。该器件在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为18mΩ，这大大减少了在大电流通过时产生的I2R损耗，从而提升了系统的能效表现，尤其适用于高频开关电源和高效DC-DC变换器等对效率要求极高的场合。同时，得益于其高达100A的连续漏极电流能力和360A的脉冲电流承受能力，IXFH100N25P可在瞬态负载或启动冲击电流较大的应用场景中保持稳定运行，避免因过流导致的器件失效。
　　该MOSFET采用了先进的平面垂直结构设计，增强了载流子迁移效率，优化了跨导和开关速度。其输入电容（Ciss）为7000pF，在同类高功率器件中处于合理水平，配合适当的栅极驱动电路，能够实现快速且可靠的开关动作，降低开关延迟和交越损耗。输出电容（Coss）为920pF，有助于减少关断期间的能量损耗，提升高频操作下的整体效率。此外，其反向恢复时间（trr）为67ns，表明体二极管具有较快的恢复特性，这对于桥式拓扑结构中的换流过程至关重要，可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　热管理方面，IXFH100N25P采用TO-247AC封装，具有较低的热阻（典型值约为0.625°C/W从结到外壳），支持高效的热量传导至外部散热装置。器件的最大功耗可达400W（在25°C环境下），并且能够在-55°C至+175°C的宽结温范围内正常工作，展现出优异的环境适应性和长期可靠性。内置的雪崩能量耐受能力也增强了其在异常工况下的鲁棒性，例如在电感负载突然断开或短路保护未及时响应的情况下仍能保持不损坏。这些综合特性使IXFH100N25P成为工业级高功率电子系统中不可或缺的关键元件。

IXFH100N25P广泛应用于各类高功率电子系统中，尤其适合需要高效能、高可靠性的工业与能源领域。在直流电机驱动系统中，该器件常用于H桥或半桥拓扑结构中作为主开关元件，凭借其低导通电阻和高电流能力，可有效减少发热并提高驱动效率，适用于电动叉车、工业机器人和自动化生产线等设备。在开关模式电源（SMPS）中，特别是大功率AC-DC和DC-DC转换器中，IXFH100N25P可用于初级侧或次级侧的同步整流电路，显著提升转换效率并降低系统温升。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，该MOSFET被用作直流斩波器或并网逆变桥臂开关，负责将可变直流电压转换为稳定的交流输出。其快速开关特性和良好的热稳定性确保了在全天候运行条件下的高效能量转换。此外，在不间断电源（UPS）系统中，IXFH100N25P可用于逆变级和旁路切换电路，保障关键负载在市电中断时仍能持续供电。
　　其他应用还包括大功率LED驱动电源、电动汽车车载充电机（OBC）、电池管理系统（BMS）中的主动均衡电路、高频感应加热设备以及工业焊接电源等。在这些应用中，器件需要频繁承受高电压、大电流和高温应力，而IXFH100N25P的坚固结构和优良参数使其能够在极端工况下长期稳定运行，减少维护成本并延长系统寿命。因此，它是现代电力电子设计中高性能N沟道MOSFET的优选之一。

IXFN110N25P
　　IRFP4668
　　STW100N250M5