类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：28A（在Tc=25℃）
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.18Ω（典型值0.14Ω）
　　栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
　　最大功耗（PD）：160W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：TO-247

IXFC28N50F的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得它在高电流条件下能够减少导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，漏源电压额定值为500V，适合用于高电压的电源应用。其栅极电荷值较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，从而在高频应用中表现优异。
　　另一个显著特性是其封装设计，采用TO-247封装形式，这种封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中保持稳定运行。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态高电压条件下提供额外的可靠性。
　　此外，IXFC28N50F还具有较宽的温度适应范围，能够在-55℃至+150℃的环境中正常工作，这使其非常适合在极端环境下的工业和汽车应用中使用。其栅源电压的额定范围为±30V，为设计人员提供了更大的灵活性，并有助于提高器件的耐用性。

IXFC28N50F广泛应用于多种高功率和高电压场景。常见的用途包括开关电源（SMPS）中的功率开关器件，例如AC-DC转换器和DC-DC转换器，以提高能量转换效率并减少热量产生。此外，它也适用于电机驱动和控制电路，如无刷直流电机（BLDC）驱动器和伺服电机控制器，以实现更精确的控制和更高的系统稳定性。
　　在工业自动化和控制系统中，IXFC28N50F可用于高侧和低侧开关，控制高功率负载，例如加热元件、照明系统和电磁阀。在可再生能源领域，该MOSFET也常用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块，以支持高效的能量转换和管理。
　　此外，该器件在汽车电子中也有应用，例如电动车的电池管理系统（BMS）、车载充电器以及车载逆变器等场景。由于其良好的温度稳定性和高可靠性，IXFC28N50F也适用于需要长时间连续运行的设备，如不间断电源（UPS）和工业测试设备。

IXFH28N50F, FCP28N50, FDPF28N50