类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：26A（在 TC=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V～4.0V（在 ID=250μA）
　　最大功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-247AC

IXFC26N50Q 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统的整体效率。该器件的漏源电压高达 500V，使其适用于中高压功率转换系统，例如电源供应器、直流-直流转换器和电机控制器。
　　此外，该 MOSFET 采用了 TO-247AC 封装，这种封装形式具有良好的热性能和机械稳定性，能够有效地散发热量，提高器件的可靠性。该封装还具备良好的绝缘性能，便于在高电压环境下使用。
　　该器件的工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，表明其在极端环境条件下仍能保持稳定的性能。这种宽温度范围也使得 IXFC26N50Q 可以在各种工业和汽车应用中使用。
　　IXFC26N50Q 的栅极阈值电压范围为 2.0V 至 4.0V，这意味着它可以与多种控制电路兼容，例如微控制器和 PWM 控制器。这种灵活性使得该 MOSFET 在不同的应用中都能轻松集成。
　　该器件的最大功率耗散为 200W，表明其能够处理较高的功率水平，适用于需要频繁开关和高电流的应用。同时，该器件的快速开关特性也减少了开关损耗，提高了系统的效率。

IXFC26N50Q 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
　　1. 电源供应器：该 MOSFET 可用于 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换。
　　2. 电机控制器：由于其高耐压和大电流能力，IXFC26N50Q 适用于各种电机控制应用，例如电动工具、电动车和工业自动化设备。
　　3. 光伏逆变器：该器件可以用于太阳能逆变器系统中，将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
　　4. 电池管理系统：该 MOSFET 可用于电池充电和放电控制电路中，确保电池的安全和高效运行。
　　5. 工业自动化：在工业控制系统中，该器件可以用于各种功率开关和继电器替代应用，提高系统的可靠性和效率。

STP26NM50ND, FCP26N50, IRFGB40N50