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IXFA4N100Q-TRL 发布时间 时间:2025/8/6 5:50:05 查看 阅读:31

IXFA4N100Q-TRL 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要用于高功率密度和高效能的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式技术,提供较低的导通电阻和高效的开关性能,适用于诸如电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器、电池充电器和工业自动化设备等应用场景。IXFA4N100Q-TRL 采用 TO-263(D2Pak)表面贴装封装,便于在 PCB 上安装并实现良好的热管理。

参数

类型:MOSFET(N 沟道)
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏源电压(VDS):100V
  导通电阻(RDS(on)):2.2Ω(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.1V ~ 4V
  最大功耗(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-263(D2Pak)

特性

IXFA4N100Q-TRL 具有多个显著的技术特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))为 2.2Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该 MOSFET 支持高达 4A 的漏极电流和 100V 的漏源电压,适用于中高功率应用。此外,该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提升了开关性能,降低了开关损耗,从而在高频开关环境中具有优异的表现。TO-263 封装提供了良好的热管理能力,确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外,该器件的栅极驱动电压范围为 2.1V 至 4V,兼容多种常见的栅极驱动器电路,增强了设计的灵活性。其宽广的工作温度范围也使得 IXFA4N100Q-TRL 能够在极端环境下可靠运行,适用于工业级和汽车电子等严苛应用环境。
  该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力,能够在短时间的过载或电压尖峰情况下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性和安全性。同时,其表面贴装封装形式便于自动化生产,提高了制造效率和产品一致性。综上所述,IXFA4N100Q-TRL 是一款性能稳定、效率高、适用于多种功率应用的高性能功率 MOSFET。

应用

IXFA4N100Q-TRL 主要应用于需要高效能功率管理的电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、工业自动化设备、LED 照明驱动器以及汽车电子系统。在电源转换器中,该器件可作为主开关或同步整流器使用,提高整体能效。在电机控制应用中,其快速开关特性和低导通电阻能够有效减少能量损耗,提升电机运行效率。此外,由于其具备良好的热管理和抗干扰能力,也广泛应用于高可靠性的工业和车载电子系统中。

替代型号

IRF540N, FQP4N100Q, STP4NK10Z, IXFH4N100Q

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IXFA4N100Q-TRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IXFA4N100Q-TRL-NDIXFA4N100Q-TRLTRQ6067406