时间：2025/7/23 19:41:38
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FDS86267P 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的双N沟道功率MOSFET，常用于高性能电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的功率工艺，具备低导通电阻、高效率和良好的热性能。FDS86267P 采用8引脚DFN封装，适合空间受限的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：10A（@VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ（@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN-8
FDS86267P MOSFET采用了先进的功率工艺，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，使其能够与多种控制器和驱动电路配合使用。此外，FDS86267P的封装设计优化了热管理性能，能够有效地将热量从芯片传导到PCB上，提升器件在高负载条件下的可靠性。
这款MOSFET的双N沟道结构使其非常适合用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。其高耐压能力（30V VDS）使其在中等电压的电源系统中具有广泛的应用潜力。同时，±20V的栅源电压容限确保了器件在高噪声环境中依然能够稳定工作，避免栅极击穿的风险。
在热性能方面，FDS86267P的DFN-8封装提供了良好的热导率，适合在紧凑型电源设计中使用。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C，适用于多种工业和消费类电子应用。该器件的高可靠性和优异的电气性能使其成为许多高性能电源管理系统的理想选择。
FDS86267P 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制以及电池管理系统中。其低导通电阻和高电流能力使其特别适合用于高效能、小型化的电源设计。此外，由于其优异的热性能和可靠性，FDS86267P 也广泛用于工业自动化设备、便携式电子产品和汽车电子系统中。
FDMS86267P, FDS86283P, Si3442DV, AO4496
