时间：2025/8/5 20:34:29
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IXFA36N60X3 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，属于OptiMOS?系列。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源应用，具备低导通电阻、优异的热性能以及快速开关特性。该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关损耗之间的平衡，适用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、工业电机控制等高要求的应用场景。IXFA36N60X3采用TO-263封装（也称为D2PAK），便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：36A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大47mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：100nC（典型值）
输入电容(Ciss)：1900pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
IXFA36N60X3 采用英飞凌的OptiMOS?技术，具有极低的导通电阻和优化的开关性能，使其在高功率应用中表现出色。其Rds(on)仅为47mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，确保在极端工作条件下依然稳定可靠。
该MOSFET的封装采用TO-263形式，具备良好的散热性能，适用于高电流和高温环境。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高转换效率。同时，该器件的输入电容较小，使其在高频开关应用中表现优异。
IXFA36N60X3 还具有出色的热稳定性，能够在175°C的高温下稳定运行，适合在高环境温度条件下使用。其设计优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少系统中滤波器的使用，从而降低整体成本。
IXFA36N60X3 适用于多种高功率密度和高效率的电源应用，包括服务器电源、电信电源、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、工业电机驱动、充电器以及电动汽车充电系统等。其高可靠性和优异的热性能使其成为工业自动化、数据中心和可再生能源系统中的理想选择。
IPW60R045C7 (Infineon), STD36NM60N (STMicroelectronics), FQA36N60 (Fairchild), TK36A60W (Toshiba)
