IXFA36N60X3 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能功率MOSFET,属于OptiMOS?系列。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源应用,具备低导通电阻、优异的热性能以及快速开关特性。该MOSFET采用先进的沟槽技术,优化了导通和开关损耗之间的平衡,适用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、工业电机控制等高要求的应用场景。IXFA36N60X3采用TO-263封装(也称为D2PAK),便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):36A(在Tc=25°C时)
导通电阻(Rds(on)):最大47mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):100nC(典型值)
输入电容(Ciss):1900pF(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-263(表面贴装)
IXFA36N60X3 采用英飞凌的OptiMOS?技术,具有极低的导通电阻和优化的开关性能,使其在高功率应用中表现出色。其Rds(on)仅为47mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具备高雪崩能量耐受能力,确保在极端工作条件下依然稳定可靠。
该MOSFET的封装采用TO-263形式,具备良好的散热性能,适用于高电流和高温环境。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高转换效率。同时,该器件的输入电容较小,使其在高频开关应用中表现优异。
IXFA36N60X3 还具有出色的热稳定性,能够在175°C的高温下稳定运行,适合在高环境温度条件下使用。其设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于减少系统中滤波器的使用,从而降低整体成本。
IXFA36N60X3 适用于多种高功率密度和高效率的电源应用,包括服务器电源、电信电源、不间断电源(UPS)、DC-DC转换器、太阳能逆变器、工业电机驱动、充电器以及电动汽车充电系统等。其高可靠性和优异的热性能使其成为工业自动化、数据中心和可再生能源系统中的理想选择。
IPW60R045C7 (Infineon), STD36NM60N (STMicroelectronics), FQA36N60 (Fairchild), TK36A60W (Toshiba)