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IXFA36N60X3 发布时间 时间:2025/8/5 20:34:29 查看 阅读:29

IXFA36N60X3 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能功率MOSFET,属于OptiMOS?系列。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源应用,具备低导通电阻、优异的热性能以及快速开关特性。该MOSFET采用先进的沟槽技术,优化了导通和开关损耗之间的平衡,适用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、工业电机控制等高要求的应用场景。IXFA36N60X3采用TO-263封装(也称为D2PAK),便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):36A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):最大47mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):100nC(典型值)
  输入电容(Ciss):1900pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(表面贴装)

特性

IXFA36N60X3 采用英飞凌的OptiMOS?技术,具有极低的导通电阻和优化的开关性能,使其在高功率应用中表现出色。其Rds(on)仅为47mΩ,显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具备高雪崩能量耐受能力,确保在极端工作条件下依然稳定可靠。
  该MOSFET的封装采用TO-263形式,具备良好的散热性能,适用于高电流和高温环境。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,提高转换效率。同时,该器件的输入电容较小,使其在高频开关应用中表现优异。
  IXFA36N60X3 还具有出色的热稳定性,能够在175°C的高温下稳定运行,适合在高环境温度条件下使用。其设计优化了电磁干扰(EMI)性能,有助于减少系统中滤波器的使用,从而降低整体成本。

应用

IXFA36N60X3 适用于多种高功率密度和高效率的电源应用,包括服务器电源、电信电源、不间断电源(UPS)、DC-DC转换器、太阳能逆变器、工业电机驱动、充电器以及电动汽车充电系统等。其高可靠性和优异的热性能使其成为工业自动化、数据中心和可再生能源系统中的理想选择。

替代型号

IPW60R045C7 (Infineon), STD36NM60N (STMicroelectronics), FQA36N60 (Fairchild), TK36A60W (Toshiba)

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IXFA36N60X3参数

  • 现有数量46现货
  • 价格1 : ¥56.21000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)90 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2030 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)446W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA(IXFA)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB