IXFA26N50P3 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源和高功率电子设备中。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力。
类型:MOSFET
极性:N沟道
漏源电压(Vdss):500V
漏极电流(Id):26A
导通电阻(Rds On):最大0.21Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
IXFA26N50P3 的核心特性包括其低导通电阻(Rds(on))特性,这使得器件在导通状态下的功耗最小化,从而提高了系统效率并减少了散热需求。
该器件的高耐压能力(500V)使其适用于中高功率应用,例如工业电源、DC-DC 转换器和不间断电源(UPS)系统。
此外,IXFA26N50P3 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了出色的开关性能,从而降低了开关损耗,使该器件能够在高频开关条件下稳定工作。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持性能稳定,确保长期运行的可靠性。
在封装方面,TO-247 是一种常见的高功率封装形式,具有良好的散热能力和电气隔离特性,适用于高功率密度设计。
IXFA26N50P3 主要用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器和功率因数校正(PFC)电路。
它也常用于工业自动化系统、电源管理系统以及可再生能源系统,如太阳能逆变器和储能系统。
由于其优异的导通和开关性能,该器件在需要高效率和高可靠性的电源转换应用中表现出色。
此外,该 MOSFET 也适用于电池管理系统(BMS)和高功率负载开关电路,能够有效控制大电流负载的开启与关闭。
在汽车电子领域,IXFA26N50P3 可用于车载充电器、电动车辆的辅助电源系统等应用。
IXFH26N50P3, IRF260N, STP26NM50N, FDPF26N50