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IXFA26N50P3 发布时间 时间:2025/7/24 9:18:05 查看 阅读:5

IXFA26N50P3 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源和高功率电子设备中。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度和高耐压能力。

参数

类型:MOSFET
  极性:N沟道
  漏源电压(Vdss):500V
  漏极电流(Id):26A
  导通电阻(Rds On):最大0.21Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXFA26N50P3 的核心特性包括其低导通电阻(Rds(on))特性,这使得器件在导通状态下的功耗最小化,从而提高了系统效率并减少了散热需求。
  该器件的高耐压能力(500V)使其适用于中高功率应用,例如工业电源、DC-DC 转换器和不间断电源(UPS)系统。
  此外,IXFA26N50P3 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了出色的开关性能,从而降低了开关损耗,使该器件能够在高频开关条件下稳定工作。
  该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持性能稳定,确保长期运行的可靠性。
  在封装方面,TO-247 是一种常见的高功率封装形式,具有良好的散热能力和电气隔离特性,适用于高功率密度设计。

应用

IXFA26N50P3 主要用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器和功率因数校正(PFC)电路。
  它也常用于工业自动化系统、电源管理系统以及可再生能源系统,如太阳能逆变器和储能系统。
  由于其优异的导通和开关性能,该器件在需要高效率和高可靠性的电源转换应用中表现出色。
  此外,该 MOSFET 也适用于电池管理系统(BMS)和高功率负载开关电路,能够有效控制大电流负载的开启与关闭。
  在汽车电子领域,IXFA26N50P3 可用于车载充电器、电动车辆的辅助电源系统等应用。

替代型号

IXFH26N50P3, IRF260N, STP26NM50N, FDPF26N50

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IXFA26N50P3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥37.60940管件
  • 系列HiPerFET?, Polar3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)230 毫欧 @ 13A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)42 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2220 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263AA(IXFA)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB