19-213/BHC-ZL1M2RY/3T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点,能够有效提高系统的效率和可靠性。
这款芯片适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子领域,广泛用于 DC-DC 转换器、LED 驱动电路以及电池管理模块中。
型号:19-213/BHC-ZL1M2RY/3T
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-263(D2PAK)
最大漏源电压(V_DS):60V
最大栅源电压(V_GS):±20V
最大连续漏极电流(I_D):18A
导通电阻(R_DS(on)):2.5mΩ (典型值,在 V_GS=10V 时)
总功耗(P_TOT):75W
工作温度范围(T_A):-55°C 至 +150°C
结温范围(T_J):-55°C 至 +175°C
1. 低导通电阻设计,降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 内置静电保护(ESD)功能,增强器件的鲁棒性。
4. 热稳定性好,能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 封装形式为 TO-263,具有良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接加工。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器的主开关管或同步整流管。
3. LED 驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
5. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
6. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
BSC018N06NS, IRF640N, AO3400A