时间：2025/8/6 8:22:27
阅读：34
IXXH75N60C3是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于OptiMOS系列。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源转换系统、电机驱动、DC-DC转换器和工业自动化设备等领域。IXXH75N60C3采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，同时具备优异的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：典型值28mΩ（最大34mΩ）
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功率耗散（Ptot）：300W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C至175°C
IXXH75N60C3具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；其次，该器件具备高耐压能力（600V），可适应多种高电压应用场景。此外，IXXH75N60C3采用了Infineon的OptiMOS技术，优化了导通和开关损耗之间的平衡，使得其在高频开关应用中表现出色。
在热管理方面，IXXH75N60C3具有良好的热传导性能，能够在高负载条件下保持稳定运行，并有效延长器件寿命。该MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热设计，适用于多种PCB布局和散热方案。
安全性方面，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在过载或瞬态条件下提供额外的保护。此外，其栅极驱动电压范围宽泛（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了系统设计的灵活性。
IXXH75N60C3广泛应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。其主要应用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。在这些应用中，IXXH75N60C3能够提供高效、稳定的功率控制，满足现代电子设备对能效和可靠性的高要求。
此外，由于其优异的高频开关性能，该器件也常用于谐振变换器和软开关拓扑结构中，有助于减小系统体积并提高整体性能。
IXFH75N60Q2, IPUH75N60C3, IXXH75N60C3H
