时间：2025/8/5 19:37:59
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IXFA26N30X3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用。这款器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻和快速开关性能。该器件主要用于电源转换、电机控制、UPS（不间断电源）、工业电源系统等需要高效率和高可靠性的应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
漏极电流（Id）：26A（在 Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.175Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：82nC
功率耗散（Pd）：300W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-263（表面贴装）
IXFA26N30X3 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的 Trench 技术，使导通特性和开关性能达到最佳平衡。它具有较高的电流处理能力，26A 的连续漏极电流能力使其适用于中高功率的 DC-DC 转换器、电机驱动器和工业电源系统。
其次，该 MOSFET 在 300V 电压下运行，适用于高电压输入的电源应用，如 240V AC 输入的电源转换器。其高耐压能力也使其在高浪涌电流和瞬态电压环境中具有良好的稳定性。
该器件的栅极电荷（Qg）为 82nC，属于中等水平，这在开关频率较高的应用中尤为重要。较低的栅极电荷可以减少开关损耗，从而提升开关速度和系统效率。同时，其热阻较低，有助于在高功率运行时保持良好的散热性能。
IXFA26N30X3 采用 TO-263 表面贴装封装，适合自动化生产流程，同时具有良好的热管理和电气性能。这种封装形式也支持较高的电流密度和较好的热传导性，适合需要长时间高负载运行的工业应用。
IXFA26N30X3 广泛应用于各种高功率电子系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统、电机驱动器、工业控制设备和太阳能逆变器等。
在开关电源中，该器件用于主开关或同步整流器，以实现高效率的能量转换。由于其低 Rds(on) 和高耐压能力，IXFA26N30X3 非常适合用于 200W 至 1000W 功率范围的电源设计。
在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构中的高侧或低侧开关，支持快速开关和低功耗运行。其高电流能力和良好的热性能使其在大功率电机驱动器中表现出色。
在太阳能逆变器中，该器件可用于 DC-AC 逆变电路，将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。其高耐压和高电流能力使其在光伏逆变器中具有良好的适应性。
此外，IXFA26N30X3 还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池的安全和高效运行。
IXFH26N30X3, IRFP260N, FDPF26N30, STP26NM60ND
