时间：2025/5/9 18:03:46
阅读：9
IRFR3411 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。这款 MOSFET 的设计旨在优化开关性能和热特性，从而满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
IRFR3411 的主要特点是其较低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。此外，该器件还具备快速开关能力，使其成为高频开关应用的理想选择。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：16A
导通电阻 Rds(on)：7.5mΩ
栅极电荷 Qg：18nC
总电容 Ciss：1050pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 超低导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 下仅为 7.5mΩ，有助于降低功耗。
2. 高电流处理能力，最大支持 16A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss。
4. 工作温度范围广，能够在极端环境条件下可靠运行。
5. 小型化的 TO-252 封装形式，适合紧凑型设计需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
IRFR3411 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 各类电机驱动电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
4. 通信设备中的负载开关和电源管理。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率控制的应用场景。
IRLR7813, SI4463DY, FDP5594
