时间：2025/8/6 1:36:42
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IXFA14N85XHV是一款高性能的功率场效应晶体管（Power MOSFET），专为高电压和高电流应用设计。该器件采用了先进的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管（TMOS）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。该MOSFET的额定漏极电流高达14A，漏源极耐压为850V，适用于需要高效能功率转换的场合，如电源管理、电机控制、照明系统以及工业自动化设备等。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于散热并适用于表面贴装技术。
类型：N沟道MOSFET
漏源极电压(Vds)：850V
栅源极电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：0.34Ω
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IXFA14N85XHV具备多项显著的技术特性，首先其采用了先进的TMOS技术，这使得该器件在高压应用中依然能够保持较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。其次，该MOSFET具有较高的开关速度，能够支持高频工作，从而减少外围电路的尺寸和成本。此外，IXFA14N85XHV还具有良好的热稳定性，在高负载条件下能够有效散热，延长器件的使用寿命。
该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计难度，同时也支持快速的栅极充电和放电过程，进一步提高开关效率。此外，IXFA14N85XHV的封装形式为TO-263（D2PAK），这种封装不仅提供了良好的散热能力，还支持表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。其高耐压能力和高电流承载能力使其适用于多种高压直流（HVDC）转换和功率因数校正（PFC）电路。
IXFA14N85XHV广泛应用于需要高压和高电流能力的功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）模块以及太阳能逆变器等。在这些应用中，IXFA14N85XHV凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热管理能力，能够显著提高系统的整体效率和可靠性。
STF12N80M, FCP14N85X
