K9F2808U0C-VIB0 是由三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片,属于消费级和工业级应用的非易失性存储器器件。该芯片具有256MB的存储容量,支持8位I/O接口,适用于需要大容量存储且对成本敏感的应用场景,如USB存储设备、SD卡、MP3播放器和嵌入式系统。
容量:256MB
电压:2.7V - 3.6V
接口:8位I/O
封装类型:TSOP
工作温度:-40°C 至 +85°C
读取速度:最大50ns
写入速度:最大50ns
擦除时间:1ms(典型)
K9F2808U0C-VIB0 芯片具备优异的读写性能和高可靠性,适合多种存储应用需求。其主要特性包括支持页读取和页编程操作,以及块擦除功能,能够实现快速的数据存储和清除操作。
该芯片支持ECC(错误校正码)功能,能够在数据传输过程中检测和纠正错误,从而提高数据的完整性和可靠性。此外,它还具备低功耗设计,能够在待机模式下显著降低功耗,延长设备的电池寿命。
在物理特性方面,K9F2808U0C-VIB0 采用TSOP封装,具有紧凑的尺寸,适用于空间受限的电子设备。其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应工业级环境要求,确保在恶劣条件下依然稳定运行。
该芯片还具备较长的擦写寿命,支持10万次以上的编程/擦除周期,能够满足频繁数据更新的应用需求。同时,它支持坏块管理功能,允许系统在发现坏块时自动跳过,从而延长存储设备的使用寿命。
此外,K9F2808U0C-VIB0 提供了兼容性良好的接口设计,可以与多种控制器和主控芯片进行连接,适用于多种存储解决方案。其内置的命令寄存器和地址寄存器简化了外部控制逻辑的设计,降低了系统开发的复杂度。
该芯片广泛应用于USB闪存盘、SD卡、嵌入式存储系统、便携式音频设备(如MP3播放器)、数码相机、工业控制设备以及需要大容量非易失性存储的其他设备。由于其工业级工作温度范围,也适用于需要在恶劣环境中运行的工业和车载系统。
K9F5608U0C, K9F1G08U0B, HY27US08561A