MA0402CG330F160 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具备低导通电阻、高效率以及出色的热性能等优势。
其封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,能够有效降低设计复杂度并提升系统可靠性。
型号:MA0402CG330F160
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源极电压):30V
RDS(on)(导通电阻):1.6mΩ(典型值,VGS=10V)
ID(持续漏极电流):80A
Qg(栅极电荷):28nC
EAS(雪崩能量):1.5J
fT(截止频率):3.6MHz
封装:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
MA0402CG330F160 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),能够在高电流应用中显著降低功耗。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
3. 小巧的 DPAK 封装形式,适用于高密度 PCB 设计。
4. 快速开关速度,减少了开关损耗,提升了系统效率。
5. 广泛的工作温度范围,确保在极端环境下仍能保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
该芯片适用于以下应用场景:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电动工具及家用电器的电机驱动电路。
4. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电管理电路。
MA0402CG330F120, MA0402CG330F180