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IXDS502D1B 发布时间 时间:2025/8/6 2:53:41 查看 阅读:30

IXDS502D1B 是由 IXYS 公司生产的一款双路栅极驱动器集成电路,专为驱动功率MOSFET和IGBT设计。该芯片采用了先进的双极性CMOS/DMOS工艺制造,具有高速、高可靠性和高抗干扰能力,适用于电源管理、电机控制和逆变器等高频功率转换应用。

参数

电源电压:10V至20V
  输出电流:±2.5A(典型值)
  传播延迟:110ns(典型值)
  上升时间:17ns(典型值)
  下降时间:14ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

IXDS502D1B 采用双通道独立驱动结构,能够提供高驱动电流,从而有效降低功率器件的开关损耗。其内置的欠压锁定(UVLO)功能可在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止功率器件因驱动不足而损坏。芯片还具有高抗干扰能力,能有效抑制高频噪声,提高系统稳定性。
  此外,IXDS502D1B 的输入逻辑兼容CMOS和LSTTL电平,便于与各种控制器连接。其封装采用小型化SOIC-8封装,适合高密度PCB布局,并具备良好的散热性能。芯片的输入端还内置了去抖动电路,有效防止因输入信号不稳定而造成的误动作。

应用

IXDS502D1B 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、光伏逆变器以及各种工业自动化控制系统。由于其高速驱动能力和高可靠性,特别适用于需要高频开关操作的功率转换系统。

替代型号

TC4427A, IR2110, UCC27424

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IXDS502D1B参数

  • 标准包装121
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列-
  • 类型低端
  • 输入类型非反相
  • 输出数1
  • 导通状态电阻4 欧姆
  • 电流 - 输出 / 通道500mA
  • 电流 - 峰值输出2A
  • 电源电压4.5 V ~ 25 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-VFDFN
  • 供应商设备封装6-DFN
  • 包装