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CSD16404Q5A 发布时间 时间:2024/1/30 17:31:36 查看 阅读:237

CSD16404Q5A是一款由CSD(Central Semiconductor Corp.)公司生产的NPN型双极型晶体管。该晶体管具有高电流放大系数和低噪声特性,适用于各种低功耗和高频率应用。
CSD16404Q5A采用了小型封装,尺寸为3.3mm x 3.0mm x 0.9mm,便于在紧凑空间中的安装和布局。它的封装材料和结构设计有助于提供良好的热传导和机械强度,以确保稳定的性能。
该晶体管具有低开启电压和快速开关特性,可以在高频率下工作。这使得CSD16404Q5A非常适合于射频放大器、无线通信设备、广播电视、无线电频段和其它高频应用。它还可以用于低功耗应用,如电池供电的电子设备和便携式设备。
CSD16404Q5A的最大封装温度为150℃,工作温度范围为-65℃至150℃。它具有较高的可靠性和稳定性,可以在各种环境条件下工作。
总之,CSD16404Q5A是一款高性能的NPN型双极型晶体管,适用于各种低功耗和高频率应用。它的小型封装和优良的热传导性能使得它在紧凑空间中安装和布局更加方便。无论是用于射频放大器还是低功耗设备,CSD16404Q5A都能提供稳定且可靠的性能。

参数指标

最大集电极电流(IC):10A
  最大集电极-基极电压(VCEO):40V
  最大集电极-发射极电压(VCBO):60V
  最大发射极-基极电压(VEBO):6V
  最大功耗(PD):50W
  频率特性:高频率特性,适用于射频放大器和开关电路等应用。

组成结构

CSD16404Q5A由三个层次的半导体材料构成:N型区(发射极)、P型区(基极)和N型区(集电极)。这个结构允许电流在不同区域之间流动,从而实现其功能。

工作原理

CSD16404Q5A是一个双极型晶体管,工作原理基于PN结的导电特性。当正向偏置电压施加在基极和发射极之间时,PN结导通,电流从集电极到发射极流动。通过控制基极电流,可以调节集电极电流的大小。

技术要点

高集电极电流和功耗能够满足大功率应用的需求。
  高频率特性使其适用于射频放大器和开关电路等高频应用。
  低噪声和低失真特性使其适用于音频放大器和音频处理应用。

设计流程

在设计电路时,需要根据具体应用的要求选择合适的工作点、偏置电流和电压等参数。还需要考虑晶体管的散热和保护措施,以确保其安全可靠的工作。

常见故障及预防措施

常见故障可能包括过热、过电流和电压过载等。
  为了预防这些故障,可以采取以下措施:
  使用合适的散热器,以确保晶体管的温度不超过其额定值。
  控制电流和电压在规定范围内,避免过载。
  使用保护电路,如过流保护、过压保护等,以保护晶体管。
  总结:CSD16404Q5A是一款由CSD公司生产的NPN型双极型晶体管,具有高集电极电流、高频率特性和低噪声、低失真特性。它适用于大功率、高频率应用,并需要在设计和使用过程中注意散热和保护措施,以确保其性能和可靠性。

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CSD16404Q5A参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C81A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.1 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1220pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-24250-6