IXDN609SITR 时间：2025/8/6 12:52:25 阅读：11

IXDN609SITR 是一款由 IXYS 公司设计和制造的高速 MOSFET 驱动器芯片，广泛应用于电源转换和电机控制领域。该器件采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，具备高侧和低侧驱动能力，能够高效地驱动功率 MOSFET 或 IGBT。IXDN609SITR 封装为 SOIC-16，并支持多种工业标准应用。

参数

类型：MOSFET 驱动器
　　封装类型：SOIC-16
　　工作电压范围：10V ~ 20V
　　输出电流（峰值）：±1.6A
　　传播延迟：85ns（典型值）
　　上升时间：40ns（典型值）
　　下降时间：25ns（典型值）
　　高侧电压最大值：600V
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　驱动器数量：2（半桥）
　　绝缘电压：1500VRMS（隔离型）

特性

IXDN609SITR 具备多项关键特性，使其在各种电源和电机控制应用中表现出色。首先，其采用的高压集成电路（HVIC）技术允许在高侧开关应用中直接驱动 MOSFET 或 IGBT，无需额外的隔离电路，从而简化了系统设计并提高了可靠性。其次，该器件的高输出驱动能力（峰值电流 ±1.6A）确保了能够快速切换大功率器件，降低开关损耗并提高整体效率。此外，IXDN609SITR 提供了较短的传播延迟（典型值 85ns）以及快速的上升时间和下降时间（分别为 40ns 和 25ns），使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动器。
　　在保护方面，IXDN609SITR 具备欠压锁定（UVLO）功能，确保在供电电压不足时自动关闭输出，防止误操作和器件损坏。同时，其内置的交叉传导保护机制可以防止上下桥臂同时导通，从而避免短路和过流情况的发生。该器件的宽工作温度范围（-40°C 至 +125°C）也使其适用于工业环境和恶劣条件下的应用。
　　从封装角度来看，IXDN609SITR 采用 SOIC-16 封装，符合行业标准，便于 PCB 设计和自动化装配。此外，其 600V 的高侧电压耐受能力也使其适用于中高压电源系统。

应用

IXDN609SITR 主要应用于需要高效驱动功率 MOSFET 或 IGBT 的场合，例如工业电源、电机驱动器、逆变器、DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及电动车充电系统。由于其高侧驱动能力和高耐压特性，IXDN609SITR 在桥式拓扑结构（如半桥和全桥）中表现尤为出色，能够显著提升系统的动态响应和转换效率。此外，该芯片也适用于各种需要高速切换和高可靠性的工业自动化设备。