类型：NPN型晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　增益（hFE）：110-800（具体值取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极电压（Vcbo）：40V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V

S8050D3晶体管具有多个显著特性，使其在电子设计中具有广泛的适用性。首先，它的高增益特性使其在放大电路中表现出色，能够有效地放大弱信号。其次，S8050D3的工作频率范围较宽，过渡频率（fT）可达100MHz，适合用于高频应用。此外，其TO-92封装设计便于安装和焊接，适用于多种电路板布局。
　　该晶体管的低功耗特性也使其非常适合电池供电设备。S8050D3的最大集电极电流为150mA，最大集电极-发射极电压为30V，能够在多种工作条件下保持稳定运行。其最大工作温度为150°C，确保在较高温度环境下也能可靠工作。此外，S8050D3的增益（hFE）范围为110-800，具体值会根据工作电流的不同而变化，这使其在不同应用场景中具有较高的灵活性。
　　该晶体管还具有良好的热稳定性和机械稳定性，能够在多种环境中保持性能稳定。这些特性使得S8050D3在电子设计中具有较高的可靠性，适合用于各种低功率应用。

S8050D3晶体管广泛应用于多个领域，包括音频放大器、信号放大器、开关电路以及各种低功率电子设备。在音频放大器中，S8050D3能够有效地放大音频信号，提供清晰的声音输出。作为信号放大器，它可用于放大传感器信号或其他微弱信号，确保信号的完整性。在开关电路中，S8050D3能够快速切换电流，适用于各种数字电路和控制电路。
　　此外，S8050D3还可用于电源管理电路、LED驱动电路以及各种嵌入式系统中的信号处理和控制。其高频特性使其在射频（RF）电路中也有一定的应用潜力。由于其良好的稳定性和可靠性，S8050D3也被广泛用于工业控制、家用电器、消费电子产品和汽车电子系统中。

2N3904, BC547, PN2222