时间：2025/8/9 14:18:19
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FMR23N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于高功率开关应用。这款MOSFET具备较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适合用于电源转换、电机控制和负载开关等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：23A
导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω（最大）
功率耗散（PD）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-264
FMR23N50E具备较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
其高耐压特性（500V VDS）使其适用于高压电源系统，如开关电源（SMPS）和逆变器。
该器件采用TO-264封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了在高能量负载下的可靠性。
栅极驱动电压范围较宽，通常可由标准的10V至15V驱动电压控制，便于与各种驱动电路兼容。
广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和UPS系统。
适用于工业电机控制、逆变器和功率因数校正（PFC）电路。
在LED照明驱动电源中作为主开关元件使用。
用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
在智能电网和新能源系统中作为功率调节元件。
FQA24N50、IRFGB40N50、STF22N50M、TK22A50D
