类型：NPN型晶体管
　　封装类型：TO-92
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级）
　　噪声系数：4dB（典型值，1kHz）

CQ09G晶体管具有良好的高频性能，适用于射频放大和低噪声应用。其高过渡频率（fT）可达100MHz，确保在高频条件下仍能保持较高的增益。该晶体管的hFE（电流增益）范围较宽，可根据应用需求选择不同的等级（例如O档、Y档、GR档、BL档等），从而优化电路性能。此外，CQ09G的封装小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，并且具有良好的热稳定性和可靠性。其较低的噪声系数也使其适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。
　　在使用过程中，CQ09G通常需要配合适当的偏置电路，以确保其工作在最佳的线性区域。它还可以用于数字开关电路，由于其快速的响应时间和较低的饱和压降，能够有效提高开关效率。此外，该晶体管的封装形式（TO-92）支持通孔安装，便于手工焊接和自动化生产，因此在教育实验、原型设计以及量产应用中都具有较高的灵活性和实用性。

CQ09G晶体管广泛应用于高频放大器、低噪声前置放大器、射频信号放大、音频放大电路、逻辑开关电路等领域。它常见于无线通信模块、收音机调谐器、传感器信号调理电路以及各种小型电子设备中。由于其优异的高频特性和多样的hFE选择，CQ09G也常用于电子实验教学和原型开发，是电子工程师常用的通用晶体管之一。

BC547, 2N3904, PN2222, 9013