CGJ2B2C0G1H102J050BA 是一款陶瓷封装的射频功率晶体管,主要用于高频信号放大和无线通信领域。该型号具有高增益、高效率以及良好的线性度,适用于基站、无线电通信设备和其他射频应用。其设计支持宽带操作,并且能够承受较高的输出功率。
类型:射频功率晶体管
封装形式:陶瓷封装
频率范围:30 MHz - 2 GHz
最大输出功率:50 W
增益:15 dB
工作电压:28 V
插入损耗:≤1.5 dB
存储温度范围:-40℃ 至 +100℃
工作温度范围:-20℃ 至 +85℃
CGJ2B2C0G1H102J050BA 的主要特点是能够在较宽的频率范围内提供稳定的性能表现。它的高输出功率与低失真特性使其非常适合需要高可靠性和高效能的应用场景。
该器件采用了先进的半导体制造工艺,确保了在高频环境下的良好稳定性和耐用性。此外,其陶瓷封装增强了散热性能,同时提供了更高的电气隔离能力,从而进一步提升了整体可靠性。
它还具备较低的热阻和优秀的射频性能,这使得该晶体管可以用于对温度敏感或空间受限的设计中。
该型号广泛应用于各类射频功率放大器设计,包括但不限于:
1. 无线通信基站中的功率放大模块
2. 移动无线电设备(如对讲机)
3. 测试测量仪器中的信号放大功能
4. 航空航天及国防领域的高性能射频系统
5. 广播电台传输设备中的大功率射频放大部分
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