时间：2025/9/3 16:23:17
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MTP8N15 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器和电机控制。该器件设计用于在高电压和高电流条件下高效运行，并具有低导通电阻和优异的热性能。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：150V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 0.32Ω（在 VGS=10V）
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
栅极电荷（Qg）：约 24nC
输入电容（Ciss）：约 600pF
MTP8N15 具备多项优良特性，使其适用于各种功率电子应用。首先，它的导通电阻较低，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其次，该器件具有较高的额定电流和电压能力，适合用于中高功率转换器。此外，其 TO-220 封装形式具有良好的散热性能，有助于提高器件在高温环境下的可靠性。MTP8N15 的栅极驱动需求较低，便于与常见的驱动电路兼容。该器件还具有快速开关特性，适用于高频操作环境，有助于减小外围元件的尺寸并提高整体系统性能。
MTP8N15 常用于各种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。此外，它也适用于工业控制设备、消费类电子产品中的功率管理模块，以及照明控制和电源适配器等应用。
IRF840、FQP8N15、STD8N15、STP8N15
