IXDI514D1T/R 时间：2025/8/6 11:00:34 阅读：13

IXDI514D1T/R 是由 Littelfuse（原IXYS公司）生产的一款高速、双通道、非反相MOSFET驱动器芯片。该器件专为需要高驱动能力和快速响应的功率转换应用而设计，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等。IXDI514D1T/R采用先进的高压集成电路（HVIC）技术，具备高抗噪能力和良好的热稳定性。该芯片封装为8引脚SOIC，适合工业级和汽车级应用。

参数

供电电压范围：10V至20V
　　峰值输出电流：+2.5A / -2.5A（典型值）
　　上升时间（tr）：12ns（典型值）
　　下降时间（tf）：10ns（典型值）
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：8-SOIC
　　最大输入延迟：35ns
　　输入阈值电压：2.3V（典型值）

特性

IXDI514D1T/R 是一款性能优异的MOSFET驱动器芯片，具有多项关键特性以满足高性能功率电子系统的需求。其双通道输出设计允许独立控制两个MOSFET或IGBT器件，每个通道均可提供高达±2.5A的峰值电流，适用于驱动高栅极电荷功率器件。
　　芯片采用了先进的HVIC工艺，能够在高dv/dt环境下稳定工作，确保驱动信号的可靠传输。此外，IXDI514D1T/R具有宽输入电压范围（10V至20V），使其适用于多种电源拓扑结构。
　　该驱动器的传播延迟低至35ns，并具有极短的上升和下降时间（分别为12ns和10ns），有助于提高系统效率并减少开关损耗。其CMOS/TTL兼容输入逻辑简化了与控制器的接口设计。
　　为了提高系统可靠性，IXDI514D1T/R集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全工作阈值时自动关闭输出，防止MOSFET误操作。此外，该芯片还具有良好的抗干扰能力，适用于高噪声环境。
　　由于其8引脚SOIC封装具有较小的PCB占用空间，同时具备良好的热管理能力，IXDI514D1T/R非常适合高密度功率电子模块的设计。

应用

IXDI514D1T/R广泛应用于需要高效、高速MOSFET驱动的功率电子系统中。其主要应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于驱动同步整流器或主功率开关，提高电源转换效率。
　　2. DC-DC转换器：适用于高频率、高效率的双向或单向转换器拓扑。
　　3. 电机驱动器：在电动工具、工业自动化和机器人系统中，用于驱动功率MOSFET模块。
　　4. 逆变器和UPS系统：用于控制功率开关，实现高效电能转换。
　　5. 汽车电子：如车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器等，得益于其宽温度范围和高可靠性，适用于汽车环境。