晶体类型：PNP型双极晶体管
　　集电极-发射极最大电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极最大电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极最大电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA, VCE=5V时为100至300（根据等级不同）

2N3906LR1具有优异的开关性能和线性放大特性，适用于各种模拟和数字电路设计。该晶体管的增益带宽积高达100MHz，使其在高频应用中表现良好。其低饱和压降和快速恢复时间使其在开关电路中表现出色。此外，2N3906LR1具备良好的热稳定性和抗干扰能力，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。由于其标准化的封装和广泛的应用，2N3906LR1具有较高的互换性和可替换性，适合于各种电子设备的制造和维修。
　　在实际应用中，2N3906LR1通常与NPN型晶体管（如2N3904）配对使用，以实现互补的电路功能。这种配对方式在推挽放大器、H桥驱动器和逻辑门电路中非常常见。此外，该晶体管还具有较低的噪声系数，适合用于音频放大和其他低噪声应用。

2N3906LR1广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。常见的应用包括音频放大器、信号开关、逻辑门电路、H桥驱动器、稳压电路和传感器接口电路等。在数字电路中，它常用于构建晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路和CMOS接口电路。此外，该晶体管还可用于电源管理和电池供电设备中的高效能开关电路。

2N3906, BC557, PN2907, MPSA56