ST16N10是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景中。
ST16N10的设计目标是提供低导通电阻(Rds(on))以减少功率损耗,并在高频开关应用中表现出优异的性能。
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):16A
脉冲漏极电流(Ip):78A
导通电阻(Rds(on)):0.14Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):13nC
反向恢复时间(trr):50ns
工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
ST16N10具有较低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提高效率。其高击穿电压使其适用于多种高压应用场景。此外,该器件还具备快速开关速度,减少了开关损耗,提高了系统整体性能。
ST16N10的典型特点包括:
- 低导通电阻:0.14Ω(在Vgs=10V条件下),确保高效的功率传输。
- 高雪崩能力:可以承受一定的过载能量,增强系统的可靠性。
- 快速开关性能:短反向恢复时间(trr=50ns),适合高频应用。
- 热稳定性强:能在极端温度范围内稳定运行(-55°C至+150°C)。
- 小尺寸封装:TO-220封装易于安装且散热性良好。
ST16N10适用于多种电力电子设备中,具体包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)设计中的功率开关。
- DC-DC转换器中的同步整流元件。
- 电机驱动电路中的功率级开关。
- 各种负载开关和保护电路中的控制元件。
- 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率管理模块。
由于其出色的电气特性和可靠性,ST16N10成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
IRFZ44N, FQP16N10, STP16NF06