ST16N10 时间：2025/6/4 3:12:11 阅读：4

ST16N10是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景中。
　　ST16N10的设计目标是提供低导通电阻（Rds(on)）以减少功率损耗，并在高频开关应用中表现出优异的性能。

参数

最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：16A
　　脉冲漏极电流(Ip)：78A
　　导通电阻(Rds(on))：0.14Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：13nC
　　反向恢复时间(trr)：50ns
　　工作温度范围(Ta)：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

ST16N10具有较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗，提高效率。其高击穿电压使其适用于多种高压应用场景。此外，该器件还具备快速开关速度，减少了开关损耗，提高了系统整体性能。
　　ST16N10的典型特点包括：
　　- 低导通电阻：0.14Ω（在Vgs=10V条件下），确保高效的功率传输。
　　- 高雪崩能力：可以承受一定的过载能量，增强系统的可靠性。
　　- 快速开关性能：短反向恢复时间（trr=50ns），适合高频应用。
　　- 热稳定性强：能在极端温度范围内稳定运行（-55°C至+150°C）。
　　- 小尺寸封装：TO-220封装易于安装且散热性良好。

应用

ST16N10适用于多种电力电子设备中，具体包括但不限于以下领域：
　　- 开关模式电源（SMPS）设计中的功率开关。
　　- DC-DC转换器中的同步整流元件。
　　- 电机驱动电路中的功率级开关。
　　- 各种负载开关和保护电路中的控制元件。
　　- 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备中的功率管理模块。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，ST16N10成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。