时间：2025/12/29 15:46:09
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760308141 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，使其非常适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用。760308141采用了先进的平面条形沟道技术，优化了其在高频率操作下的性能，同时减少了导通和开关损耗。其封装设计便于散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定的工作温度。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
技术：平面条形沟道技术
760308141具备多项显著的技术特性和优势。首先，其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流条件下最小的功率损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够在极端工作条件下保持稳定性能。其快速开关特性有助于减少开关损耗，使其适用于高频操作环境。760308141还具有优异的热性能，得益于其优化的封装设计，能够有效散热并保持较低的工作温度。这种特性不仅延长了器件的使用寿命，也提高了系统的可靠性。另外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。最后，760308141在制造过程中采用了高质量的材料和先进的制造工艺，确保了器件的稳定性和一致性，适用于各种工业和汽车电子应用。
在实际应用中，760308141还表现出优异的抗雪崩能力和短路耐受性，这对于保护系统免受瞬态故障影响至关重要。同时，其封装设计符合RoHS标准，满足了环保要求，适合现代电子产品的绿色制造需求。
760308141的应用范围广泛，尤其适合需要高效率和高可靠性的电源管理系统。它常用于DC-DC转换器中，作为主开关器件，以实现高效的能量转换。在电机控制系统中，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机，提供快速响应和精确的控制能力。此外，它也适用于负载开关应用，例如在服务器和电信设备中管理多个电源域的连接与断开。760308141还可以用于电池管理系统，保护电池组免受过电流和短路的损害。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统以及车身控制模块等应用。此外，它也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统等领域，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
STL160N3LLF
IPD160N3LLF
