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IXDF502SIAT/R 发布时间 时间:2025/7/25 9:06:53 查看 阅读:13

IXDF502SIAT/R 是一款由 Littelfuse(原 IXYS)制造的双路高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器集成电路,广泛用于电源转换、电机控制、逆变器和工业自动化系统中。该器件采用 8 引脚 SOIC 封装,具备高输出驱动能力、宽工作电压范围和强大的抗干扰能力,适合用于半桥或全桥拓扑结构中的功率器件控制。

参数

类型:MOSFET/IGBT 驱动器
  封装:SOIC-8
  通道数:2(高边 + 低边)
  供电电压(VDD):10V 至 20V
  输出电流(峰值):±3.5A
  传播延迟:120ns(典型)
  输入逻辑电平兼容:3.3V、5V、15V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离电压(高边对低边):1050V(典型)

特性

IXDF502SIAT/R 具备两个独立的驱动通道,分别用于控制高边和低边的功率器件。其高边驱动器采用浮动电源设计,能够承受高达 600V 的电压,适用于高压功率转换应用。该器件的输出级具有高驱动能力,可快速充放电 MOSFET 或 IGBT 的栅极电容,从而降低开关损耗并提高系统效率。此外,IXDF502SIAT/R 集成了欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出,防止功率器件在非理想状态下工作。其输入端支持 TTL 和 CMOS 电平兼容,便于与各种控制器连接。该驱动器还具备良好的抗干扰能力,能够在高噪声环境中稳定运行。其 SOIC-8 封装结构紧凑,适合高密度 PCB 布局设计,同时具备良好的热稳定性,能够在宽温度范围内可靠工作。
  IXDF502SIAT/R 的设计使其在 D 类音频放大器、DC-DC 转换器、电机驱动器和太阳能逆变器等应用中表现出色。其高速响应特性可显著提升系统动态响应能力,同时减少开关过程中的电磁干扰(EMI)。该器件还内置死区时间控制机制,防止上下桥臂同时导通造成的直通电流,从而提升系统的安全性与稳定性。

应用

IXDF502SIAT/R 主要用于需要高驱动能力和高电压隔离的功率电子系统中。典型应用包括工业电机控制、DC-AC 逆变器、UPS(不间断电源)、电焊设备、感应加热系统以及 D 类音频放大器等。此外,它还可用于新能源系统,如光伏逆变器和电动汽车充电器中,作为功率开关器件的栅极驱动电路。其高可靠性和抗干扰能力使其在工业自动化、自动化测试设备(ATE)和电力电子模块中也广泛应用。

替代型号

IXDF502SIATMA, IX4426NPIZ-T, IRS2104S, LM5111, UCC27524A

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IXDF502SIAT/R参数

  • 制造商IXYS
  • 产品种类功率驱动器IC
  • 类型Low Side
  • 上升时间10 ns
  • 下降时间9 ns
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 电源电流3 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装Bulk
  • 配置Inverting, Non-Inverting
  • 最小工作温度- 55 C
  • 激励器数量2
  • 输出端数量2
  • 工作电源电压15 V
  • 工厂包装数量2500