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STGB20NB37LZT4 发布时间 时间:2025/7/23 7:43:55 查看 阅读:8

STGB20NB37LZT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于需要高功率和高效率的电力电子设备中。该模块采用先进的IGBT技术,具有较低的导通压降和开关损耗,适合用于逆变器、电机驱动和电源转换系统等应用。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(VCES):370V
  额定集电极电流(IC):20A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:表面贴装(SMD)
  最大工作频率:20kHz
  导通压降(VCE_sat):典型值为1.55V(在IC=20A时)
  最大功耗:200W

特性

STGB20NB37LZT4 模块具备多项先进的性能特点。首先,其采用了高性能的IGBT芯片,确保在高频开关操作下仍具有较低的开关损耗,从而提高了整体能效。其次,该模块的热性能优异,能够在高温环境下稳定运行,这得益于其优化的封装设计和良好的热导率。此外,该器件具有较高的短路耐受能力,可在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。STGB20NB37LZT4 还集成了一个快速恢复二极管(FRD),与IGBT芯片共同构成一个完整的功率开关单元,简化了电路设计并提高了系统的可靠性。最后,该模块符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的工业应用。

应用

STGB20NB37LZT4 常用于各种高功率电子设备中,如变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电焊机等。在这些应用中,该模块能够提供高效、稳定的功率转换和控制功能,确保设备在高负载条件下仍能保持良好的性能和可靠性。此外,由于其紧凑的封装尺寸和良好的热管理能力,该模块也适用于空间受限和需要高功率密度的设计。

替代型号

STGB20NB37LZAG、STGF20NB37LZT4、STGF20NB37LZAG

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STGB20NB37LZT4参数

  • 其它有关文件STGB20NB37LZ View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)425V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2V @ 4.5V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最大200W
  • 输入类型逻辑
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-6567-6