STGB20NB37LZT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于需要高功率和高效率的电力电子设备中。该模块采用先进的IGBT技术,具有较低的导通压降和开关损耗,适合用于逆变器、电机驱动和电源转换系统等应用。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):370V
额定集电极电流(IC):20A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:表面贴装(SMD)
最大工作频率:20kHz
导通压降(VCE_sat):典型值为1.55V(在IC=20A时)
最大功耗:200W
STGB20NB37LZT4 模块具备多项先进的性能特点。首先,其采用了高性能的IGBT芯片,确保在高频开关操作下仍具有较低的开关损耗,从而提高了整体能效。其次,该模块的热性能优异,能够在高温环境下稳定运行,这得益于其优化的封装设计和良好的热导率。此外,该器件具有较高的短路耐受能力,可在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。STGB20NB37LZT4 还集成了一个快速恢复二极管(FRD),与IGBT芯片共同构成一个完整的功率开关单元,简化了电路设计并提高了系统的可靠性。最后,该模块符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的工业应用。
STGB20NB37LZT4 常用于各种高功率电子设备中,如变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和电焊机等。在这些应用中,该模块能够提供高效、稳定的功率转换和控制功能,确保设备在高负载条件下仍能保持良好的性能和可靠性。此外,由于其紧凑的封装尺寸和良好的热管理能力,该模块也适用于空间受限和需要高功率密度的设计。
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