时间：2025/8/5 23:14:45
阅读：27
IXYR50N120C3D1是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET晶体管，专为高电压、高电流应用场景设计。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供出色的导通电阻和开关性能。IXYR50N120C3D1适用于工业电源、电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）和电动汽车充电系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）@25°C：50A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为150mΩ
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
功率耗散（PD）：300W
IXYR50N120C3D1具备多项高性能特性，首先其高耐压能力达到1200V，适用于高压系统设计。其次，该MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，其高电流承载能力（50A）确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该器件采用先进的封装技术，具备良好的热管理性能，可在高温度环境下长时间运行而不影响可靠性。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端环境条件下的电子设备。
IXYR50N120C3D1还具备优异的开关性能，降低了开关损耗，提高了系统的动态响应能力。这种特性使其在高频开关应用中表现出色，例如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机控制电路。
IXYR50N120C3D1广泛应用于各种高功率和高电压系统，包括但不限于：工业电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器以及各种类型的电力电子转换设备。由于其高效率和高可靠性，该器件在现代能源管理和功率控制领域中扮演着重要角色。
IXFN50N120
IXFX50N120
STY55N120
IPW50N120CFD
SiC MOSFET替代型号：C3M0040120K（Wolfspeed）
