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IXDD609CI 发布时间 时间:2025/8/6 12:33:54 查看 阅读:8

IXDD609CI是一款由IXYS公司生产的高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该芯片设计用于驱动功率MOSFET和IGBT器件,适用于各种高功率电子设备,如电源转换器、电机控制器和逆变器等。IXDD609CI采用双列直插封装(DIP-14),具有宽输入电压范围、低传播延迟和高输出驱动能力的特点,能够提供高达±9A的峰值输出电流。其内部集成了欠压锁定(UVLO)、交叉导通保护和热关断等多种保护功能,确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。

参数

类型:高速MOSFET/IGBT驱动器
  封装类型:DIP-14
  工作电压范围:10V至30V
  输出电流能力:±9A(峰值)
  传播延迟时间:典型值为9ns
  上升时间:典型值为6ns
  下降时间:典型值为5ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  输入信号兼容性:TTL/CMOS逻辑电平
  保护功能:欠压锁定(UVLO)、交叉导通保护、热关断
  封装尺寸:符合标准DIP-14规格

特性

IXDD609CI的主要特性包括其高输出电流驱动能力,使其能够快速驱动大功率MOSFET和IGBT,从而减少开关损耗并提高系统效率。该芯片的传播延迟非常低,仅为9ns左右,确保了精确的时序控制,适用于高频开关应用。此外,IXDD609CI具备宽输入电压范围,可在10V至30V之间正常工作,提供了更大的灵活性,适用于不同的电源设计。
  该驱动器还集成了多项保护功能,如欠压锁定(UVLO)确保在电源电压不足时不开启输出,防止不稳定操作;交叉导通保护避免了上下桥臂同时导通的风险,提高桥式电路的安全性;热关断功能可在芯片温度过高时自动关闭输出,防止损坏。这些特性使得IXDD609CI在恶劣的工业环境中也能保持稳定运行。
  IXDD609CI的封装采用标准的DIP-14形式,便于手工焊接和安装,适用于原型设计和中小批量生产。其TTL/CMOS兼容的输入接口使其能够与各种控制器或微处理器直接连接,简化了控制电路的设计。

应用

IXDD609CI广泛应用于需要高速功率开关的电子系统中,如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电源管理系统和工业自动化设备。由于其高驱动能力和快速响应特性,该芯片特别适合用于高频率开关电源和需要精确控制的PWM控制电路。此外,IXDD609CI也常用于太阳能逆变器、电动车驱动系统和智能电网设备中,以提升功率转换效率并增强系统稳定性。

替代型号

IXDD609CI的替代型号包括IXDD610CI和IXDD604CI。IXDD610CI具有类似的技术规格,但可能在输出电流或封装形式上有所不同;而IXDD604CI则是一款较低功率的驱动器,适用于输出电流需求较低的应用场景。

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IXDD609CI参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间40ns
  • 电流 - 峰9A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 35 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-5
  • 供应商设备封装TO-220-5
  • 包装管件
  • 其它名称CLA366IXDD609CI-ND