时间：2025/6/22 11:57:53
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FN15N4R0C500PNG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在降低导通电阻的同时提高了开关性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、开关电源、电机驱动等需要高效能和低损耗的应用场景。
这款 MOSFET 的封装形式为行业标准的 PDFN 封装，具有较小的体积和良好的散热性能，能够满足现代电子设备对紧凑型设计的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：36nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
FN15N4R0C500PNG 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功耗。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 小型化的 PDFN 封装，有助于节省 PCB 空间。
该型号广泛应用于各种高效率电力转换场景中，例如：
1. 开关模式电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
4. 电机驱动电路。
5. 逆变器及 UPS 系统。
6. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP17N10, STP16NF06
