时间：2025/8/9 9:38:19
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K3675-01是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及负载开关等场景。K3675-01封装形式为SOP（小外形封装），适用于表面贴装工艺，具有良好的热性能和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：120A
最大功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.7mΩ（在Vgs=10V时）
阈值电压（Vgs(th)）：1V至2.5V
K3675-01具有多项出色的电气和热特性，首先，其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率，特别是在高电流应用中表现尤为突出。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，不仅提升了导通性能，还增强了开关速度，从而降低了开关损耗。
K3675-01的封装设计优化了热管理性能，使得器件在高负载条件下也能保持良好的稳定性。此外，其120A的最大连续漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。栅极驱动电压范围宽（通常可使用4.5V至20V），支持与多种驱动电路兼容，便于系统集成。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力和过温保护特性，提高了整体系统的可靠性。适用于工业自动化、汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的电源管理和功率控制模块。
K3675-01广泛应用于多个领域，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统、服务器电源、电信设备电源模块、便携式电子设备的电源管理单元以及工业自动化控制系统中的功率控制部分。
K3675-01的替代型号包括SiS6200DN-T1-GE3、IRF1324S-7PPBF、TKA13003K3、R6004END、IPD65R1K5CFD、K3675-02、K3675
