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IXDD514SIA 发布时间 时间:2025/8/6 5:38:55 查看 阅读:26

IXDD514SIA是一款高性能的双通道MOSFET驱动器芯片,由IXYS公司设计制造。该芯片专为高效、高速驱动功率MOSFET和IGBT而设计,广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、UPS系统和工业自动化等领域。IXDD514SIA具有独立的高边和低边驱动通道,能够提供高达4A的峰值驱动电流,确保功率器件快速而稳定的开关动作,从而减少开关损耗并提高系统效率。

参数

供电电压范围:10V至30V
  输出峰值电流:±4A(典型值)
  输入逻辑电压兼容:3.3V至15V
  传输延迟时间:典型值为9ns
  上升时间:典型值为6ns
  下降时间:典型值为5ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C

特性

IXDD514SIA具有多个显著的性能特性,确保其在各种高要求的应用中稳定可靠地运行。首先,它具备超低传输延迟和快速上升/下降时间,使得驱动信号能够迅速传递至功率器件,从而实现高效的开关操作,适用于高频开关应用。其次,该芯片集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于设定阈值时,驱动器将自动关闭输出,防止因电源电压不足而导致的异常操作或功率器件损坏。此外,IXDD514SIA采用独立的高低边驱动结构,能够适应各种半桥或全桥拓扑结构,并有效防止上下桥臂直通短路的风险。其输入端支持3.3V至15V的宽电压范围逻辑信号,兼容多种控制芯片(如DSP、MCU或FPGA)。芯片封装采用16引脚SOIC或SSOP形式,具备良好的热性能和空间利用率,适用于紧凑型设计。最后,IXDD514SIA内部集成了交叉传导保护和防击穿电路,进一步增强系统稳定性和安全性。

应用

IXDD514SIA广泛应用于需要高效、高速驱动功率MOSFET或IGBT的场合。典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变系统以及各种工业自动化控制系统。其高性能驱动能力和可靠的保护机制使其成为高频率开关应用的理想选择。

替代型号

IXDD514PI, IXDD514SIC, LM5114, TC4420

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IXDD514SIA参数

  • 标准包装94
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置低端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间20ns
  • 电流 - 峰14A
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)-
  • 电源电压4.5 V ~ 30 V
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装管件