型号：IXCY10M90S
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　最大功耗（Pd）：200W
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 5.0V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.2Ω（@Vgs=10V）
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：约50ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

IXCY10M90S采用了先进的沟槽栅极与场截止层相结合的制造工艺，这种结构显著降低了器件的导通电阻（Rds(on)），同时保持了高击穿电压能力。其低Rds(on)特性使得在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提升电源系统的整体能效。此外，该器件的栅极电荷（Qg）经过优化，通常在60nC左右，这使得它在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的驱动功率需求。由于其快速开关特性，IXCY10M90S特别适合用于工作频率在几十kHz到上百kHz之间的开关电源拓扑，如反激式、正激式或LLC谐振转换器。
　　该器件具备出色的热稳定性，其热阻（Rth(j-c)）较低，约为0.6°C/W，能够有效将芯片内部产生的热量传导至散热器，防止局部过热导致的性能衰减或失效。同时，其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境温度下稳定运行，适用于户外或工业现场等复杂工况。此外，IXCY10M90S的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr）和较低的反向恢复电荷（Qrr），这不仅减少了开关瞬态过程中的电压尖峰，还降低了对EMI滤波电路的要求，有助于简化系统设计并降低成本。
　　在可靠性方面，IXCY10M90S通过了严格的工业级认证测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和功率循环测试，确保其在长期运行中的稳定性和寿命。其封装采用环保材料，并符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺。器件还具备一定的抗浪涌能力和抗静电放电（ESD）能力，进一步提升了在实际应用中的鲁棒性。对于需要高性价比、高性能和高可靠性的中等功率电源设计而言，IXCY10M90S是一个理想的选择。

IXCY10M90S广泛应用于多种中高功率开关电源系统中，尤其适用于那些需要高电压隔离和高效能量转换的场合。在AC-DC电源适配器和充电器中，该器件常用于主开关管位置，支持宽输入电压范围（如85VAC~265VAC），适用于笔记本电脑、通信设备和家用电器的供电单元。在LED照明驱动电源领域，IXCY10M90S可用于隔离式恒流驱动电路，提供稳定的输出电流并满足高功率因数校正（PFC）需求，帮助实现节能和长寿命目标。
　　在可再生能源系统中，例如小型光伏逆变器或微型逆变器模块，IXCY10M90S可用于DC-AC转换阶段的开关元件，配合控制IC实现高效的能量回馈电网功能。其快速开关特性和低损耗表现有助于提高系统的最大功率点跟踪（MPPT）效率。此外，在工业自动化设备中的电机驱动电路或DC-DC转换模块中，该器件也可作为主功率开关使用，特别是在需要900V耐压等级的应用中表现出色。
　　其他典型应用场景还包括不间断电源（UPS）、电子镇流器、感应加热设备以及各类工业电源模块。由于其具备良好的热管理和抗干扰能力，IXCY10M90S也适合部署在密闭空间或通风条件有限的环境中。其TO-247封装便于安装散热片，支持强制风冷或自然对流冷却方式，适应多样化的结构设计需求。

STX10N90DM2, FQA10N90, IRFP460LC