型号：SDP0240T023G5RP
　　通道类型：P沟道
　　最大漏源电压(VDS)：-20 V
　　最大栅源电压(VGS)：±12 V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：-11.6 A
　　连续漏极电流(ID) @ 70°C：-9.3 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-34.8 A
　　功耗(PD)：2.5 W
　　工作温度范围(Tj)：-55 ~ +150 °C
　　存储温度范围(Tstg)：-55 ~ +150 °C
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -4.5V：2.3 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -2.5V：3.0 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = -1.8V：4.0 mΩ
　　阈值电压(Vth)：-0.85 ~ -1.2 V
　　栅极电荷(Qg) @ VDS = -10V, ID = -11.6A：7.5 nC
　　输入电容(Ciss) @ VDS = -10V：1120 pF
　　反向恢复时间(trr)：16 ns

SDP0240T023G5RP 采用 Vishay 的第二代 TrenchFET 技术，显著提升了器件的性能表现。其核心优势之一是极低的导通电阻 RDS(on)，在 VGS = -4.5V 时仅为 2.3mΩ，这一特性使得在大电流应用中能够有效降低传导损耗，提高系统能效。相比前代产品，该器件在相同封装尺寸下实现了更低的 RDS(on)，有助于减小整体功耗并减少发热问题。该器件的低栅极电荷（典型值为 7.5nC）和低输入电容（Ciss = 1120pF）使其非常适合高频开关应用，如同步降压转换器或负载开关电路，能够减少驱动电路的能量消耗并提升开关速度。此外，该 MOSFET 具备优异的热稳定性，在结温升高时仍能保持较低的 RDS(on) 增长率，确保在高负载持续运行期间不会因温升导致性能急剧下降。
　　PowerPAK SO-8L 封装不仅提供了紧凑的物理尺寸（约 3mm x 3mm），还通过底部裸露焊盘实现高效的热传导，可将热量迅速传递至 PCB，从而增强散热能力。这种封装结构特别适合自动贴片生产线，并支持回流焊工艺，提高了生产良率和一致性。器件的阈值电压范围为 -0.85V 至 -1.2V，允许使用低电压逻辑信号直接驱动，在电池供电系统中可简化控制电路设计。同时，其反向恢复时间较短（trr = 16ns），在桥式拓扑中可减少体二极管反向恢复带来的开关损耗，进一步提升系统效率。该器件还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，并经过严格的质量测试，确保长期可靠运行。

SDP0240T023G5RP 广泛应用于需要高效能、小体积和高可靠性的电源管理系统中。其典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源路径管理，可用于控制电池与主系统之间的连接，实现快速启停和过流保护。在 DC-DC 转换器中，该器件常被用作同步整流开关，尤其是在负压输出或 P 通道高端开关配置中，凭借其低 RDS(on) 和快速响应特性，可显著提升转换效率并减少能量损失。此外，它也适用于电机驱动电路，特别是微型直流电机或步进电机的 H 桥驱动方案，能够承受频繁的启停和反转操作而不影响寿命。在电池管理系统（BMS）中，该 MOSFET 可作为充放电控制开关，配合保护 IC 实现精确的电流切断功能，防止过充、过放和短路故障。工业控制模块、传感器电源隔离、热插拔控制器以及 USB PD 供电设备也是其常见的应用领域。得益于其小型化封装和高功率密度特点，该器件尤其适合空间受限但对热性能要求较高的嵌入式系统设计。无论是消费类电子产品还是工业级设备，SDP0240T023G5RP 都能提供稳定可靠的开关性能，满足多样化的电源管理需求。

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　　 "SiR624DP",
　　 "IRF7472",
　　 "AOZ5311NQI"
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