时间：2025/6/14 16:10:37
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TSD5N65M是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有高电压和低导通电阻的特点，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域。其额定电压为650V，能够承受较高的反向电压，并且具备快速开关速度，从而减少开关损耗。
这款MOSFET采用了TO-220封装形式，适合表面贴装或通孔安装，便于在各种电路板设计中使用。TSD5N65M的设计使其非常适合需要高效能功率转换的应用场景。
最大漏源电压：650V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：3.9Ω
总功耗：130W
结温范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压，可承受高达650V的漏源电压。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速开关性能，减少开关过程中的能量损失。
4. 高雪崩能力，确保在过载条件下的稳定工作。
5. 采用标准TO-220封装，方便焊接和散热设计。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. LED驱动器中的电流调节组件。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRF540N, FQP17N60C, STP5NK60Z
