时间：2025/9/1 16:33:04
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H5TC2G83BFR-H9 是由SK Hynix生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高带宽存储器（HBM）产品系列。这款芯片采用了先进的堆叠式封装技术，具备高容量和高速数据传输能力，广泛用于高性能计算、图形处理和网络设备等领域。
容量：2GB
类型：DRAM，HBM
频率：800MHz
电压：1.8V
接口：4096位宽
封装类型：FCBGA
工作温度：-40°C ~ +85°C
H5TC2G83BFR-H9 采用HBM（高带宽内存）技术，能够提供极高的内存带宽，满足高性能计算需求。其堆叠式结构减少了PCB空间占用，同时降低了信号延迟和功耗。该芯片具有高可靠性，适用于严苛的工作环境，并支持多种刷新模式以确保数据完整性。此外，该芯片还集成了错误检测和校正功能，以提高系统的稳定性。
这款存储器的另一个显著特点是其高数据传输速率，使其非常适合需要大量数据处理的应用场景，例如GPU显存、AI加速器和网络交换设备。此外，其低电压设计不仅有助于节能，还降低了散热需求，提高了整体系统效率。
H5TC2G83BFR-H9 的制造工艺和封装技术确保了优异的电气性能和热稳定性，适用于高密度、高性能的嵌入式系统设计。
H5TC2G83BFR-H9 常用于高性能计算系统、图形处理单元（GPU）、人工智能加速器、网络交换设备、高端游戏主机以及服务器内存模块。它也适用于需要大容量高速内存的工业控制和通信设备。
H5TC2G83BFR-PB
