ULTVST5VESGP 是一款超低功耗的晶体管,采用 SOT-23 封装。该晶体管设计用于需要高效率和低静态电流的应用场合。其主要特点是极低的漏电流和出色的开关性能,适合各种便携式设备和电池供电系统。
集电极-发射极饱和电压:0.15V@Ic=50mA
最大集电极电流:200mA
最大集电极-发射极击穿电压:50V
最大集电极功耗:400mW
工作温度范围:-55℃ to +150℃
封装类型:SOT-23
ULTVST5VESGP 的主要特点包括超低功耗、高开关速度以及优良的热稳定性。该晶体管在极端温度条件下也能保持稳定的性能,使其非常适合工业和汽车应用。此外,它还具有非常低的漏电流,这有助于延长电池寿命。
该器件的封装形式紧凑,可以节省印刷电路板的空间,并且具备良好的电气性能和机械可靠性。ULTVST5VESGP 在高频信号处理中表现出色,同时还能提供高效的功率转换。
ULTVST5VESGP 广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统等领域。典型应用场景包括:
1. 便携式电子设备中的电源管理
2. 智能传感器和物联网设备中的信号切换
3. 工业自动化设备中的负载控制
4. 汽车电子系统的开关和保护电路
5. 各种低功耗无线模块的功率放大器驱动
BC847C, MMBT3904LT1G, 2SC3406