时间：2025/8/6 1:35:43
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IXCY10M90 是一款由 IXYS 公司制造的高电压、高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率控制应用。这款晶体管基于先进的高压技术制造，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，非常适合用于开关电源、逆变器以及电机控制等高功率场景。IXCY10M90 采用 TO-247 封装，具有良好的热性能和耐高温能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：10A
最大漏源电压：900V
导通电阻(Rds(on))：0.65Ω
栅极电荷(Qg)：50nC
最大功耗：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
IXCY10M90 具有以下显著特性：首先，其高达 900V 的漏源电压额定值使其能够在高电压环境下稳定运行，适用于如工业电源和高电压直流转换等应用。其次，导通电阻仅为 0.65Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
此外，该器件具备优异的热管理能力，TO-247 封装提供了良好的散热性能，使其能够在较高环境温度下正常运行。其快速开关特性减少了开关损耗，从而进一步提升了功率转换效率。
IXCY10M90 还具备较高的抗雪崩能力和过载耐受能力，确保在极端条件下仍能维持稳定运行。这使得它在高可靠性要求的应用中具有显著优势。
IXCY10M90 主要用于需要高电压和高功率处理能力的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高电压和高可靠性的特点，它也广泛用于医疗设备、测试仪器和高功率LED照明系统等对稳定性和效率要求较高的领域。
IXFP10N90T, IRF840, STP9NK90Z
