时间：2025/7/16 16:35:27
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UFG0J103MHJ1TN 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，属于 GaN Systems 的产品系列。该器件采用增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关速度，专为高效率、高功率密度的应用而设计。它广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、服务器电源、无线充电及新能源汽车等领域。
与传统的硅基 MOSFET 相比，UFG0J103MHJ1TN 提供了更低的开关损耗和更高的工作频率，从而显著提升了系统的整体性能和效率。
型号：UFG0J103MHJ1TN
类型：增强型 GaN 功率晶体管
封装：8x8 mm LFPAK 封装
额定电压：650 V
额定电流：72 A
导通电阻：10 mΩ（典型值）
栅极电荷：4.2 nC（典型值）
最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C
UFG0J103MHJ1TN 具有以下关键特性：
1. 高效功率转换能力：由于其低导通电阻和低栅极电荷，该 GaN 晶体管能够实现高效的功率转换，适合高频应用。
2. 快速开关速度：得益于 GaN 材料的优异性能，这款晶体管支持超高速开关操作，有助于减少开关损耗。
3. 热性能优越：LFPAK 封装提供卓越的散热表现，确保在高功率负载下稳定运行。
4. 增强型结构：只有正向栅极驱动电压才能开启晶体管，使用更安全且易于控制。
5. 可靠性高：经过严格的可靠性测试，适用于工业级和消费级市场。
UFG0J103MHJ1TN 广泛用于以下领域：
1. 服务器和通信设备中的 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和可再生能源逆变器。
3. 高效电动汽车车载充电器。
4. 高频谐振转换器拓扑，如 LLC 和相移全桥。
5. USB-PD 快充适配器和其他消费类电子产品的电源解决方案。
6. 无线充电发射器和接收器模块。
UFG0J103MHJ1T
