类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大60mΩ（在10V Vgs下）
　　功率耗散（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-220FP

FFMAF201 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在200V的漏源电压下仍能保持稳定的性能，适用于中高功率应用。其60mΩ的Rds(on)在10V栅极驱动电压下表现出色，确保在高负载情况下仍能维持低功耗。
　　该MOSFET采用TO-220FP封装，具有良好的散热性能，能够在高电流下保持稳定运行。封装设计也便于安装在标准的散热片上，提升整体热管理能力。FFMAF201 的最大连续漏极电流为30A，在25℃环境温度下可以支持较高的功率需求，适用于如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用场景。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围为±20V，使其兼容多种常见的MOSFET驱动电路。其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）也使其适用于恶劣环境条件下的工业和汽车电子应用。FFMAF201 还具备较高的雪崩能量耐受能力，提高了器件在瞬态过压条件下的可靠性。

FFMAF201 主要应用于需要高效功率管理的系统中，例如电源供应器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。其低Rds(on)和高耐压特性使其成为高性能电源设计的理想选择。在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理系统（BMS）中，FFMAF201 可用于高压电池的充放电控制，提供可靠的功率开关功能。
　　在工业自动化和电机控制领域，该器件可作为H桥电路中的开关元件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。在太阳能逆变器系统中，FFMAF201 可用于直流侧的功率开关，协助实现高效的能量转换。此外，在不间断电源（UPS）系统中，它可用于主功率开关或同步整流部分，提升整体能效。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，FFMAF201 也被广泛应用于各种高功率密度的开关电源（SMPS）设备中，例如服务器电源、电信设备电源以及工业计算机电源等。

STP30NF20, IRF3205, FDPF20N20, FQA30N20